インジウムアンチモン化ウェハ

2インチ、3インチのインジウムアンチモン化ウェハ
III-V 族半導体結晶材料の一種であるアンチモン化インジウム (InSb) は、バンドギャップが非常に狭く、有効電子質量が小さく、電子移動度が高いため、磁気抵抗コンポーネント、ホールデバイス、およびその他の産業技術で重要な用途が見出されています。
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